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關(guān)鍵詞：功率晶體管 直流增益 高低溫變化率 埋層結(jié)構(gòu) 優(yōu)化 

摘要：利用TCAD半導(dǎo)體器件仿真軟件,依據(jù)NPN型大功率晶體管電參數(shù)指標(biāo)要求,針對直流增益及其高、低溫變化率進(jìn)行了研究.為拓寬滿足直流增益要求的結(jié)構(gòu)參數(shù)范圍并改善直流增益高、低溫變化率,提出一種新型帶P^+埋層的高反壓大功率晶體管結(jié)構(gòu).仿真結(jié)果表明:通過對P^+埋層摻雜濃度和厚度進(jìn)行優(yōu)化,可有效折中直流增益和集電極-發(fā)射極擊穿電壓的矛盾關(guān)系,使得發(fā)射區(qū)、基區(qū)結(jié)構(gòu)參數(shù)在較大范圍內(nèi)滿足直流增益指標(biāo)要求,增大了工藝裕量.P^+埋層的存在,可針對滿足直流增益及其高、低溫變化率的要求來調(diào)整發(fā)射區(qū)、基區(qū)結(jié)構(gòu)參數(shù).

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